Transistor més ràpid
Text generat pel traductor automàtic Elia sense revisió posterior per traductors. Elia Elhuyar
Investigadors dels EUA han creat el transistor més ràpid possible, amb
freqüències superiors als 600 gigues. Els transistors estan formats per capes de materials semiconductors. En aquest cas, la variació progressiva de la composició de la capa a la capa ha permès obtenir un transistor d'alta velocitat. Els investigadors consideren, a més, que l'ús d'aquesta mateixa tecnologia podria suposar encara la fabricació de transistors més ràpids, que es troben en les terahercias.
Zu idazle
Zientzia aldizkaria
