El nitruro de indio puede acumular una carga negativa en su superficie, algo poco habitual en semiconductores como el suyo. Hasta ahora sólo se conocía otro caso con esta propiedad, el del arseniuro indio.
En la mayoría de los semiconductores aparece un área con pocos electrones alrededor de la superficie, lo que supone una gran resistencia a la hora de formar aleaciones con metales. Sin embargo, este problema podría evitarse si se producen en la superficie semiconductores enriquecidos con electrones.
Revisando las propiedades del nitruro de indio, los investigadores del Reino Unido y Estados Unidos han descubierto que puede tener condiciones adecuadas. En el laboratorio se ha conseguido una acumulación de electrones y se han eliminado barreras que impiden las aleaciones. Esto facilita enormemente la fabricación de materiales híbridos con aleaciones metal-semiconductores, pudiendo ser de gran utilidad en el campo de la optoelectrónica. En el futuro se pretende investigar las propiedades electrónicas del nitruro de indio y sus aleaciones.