Un transistor de grafeno bate récords

Roa Zubia, Guillermo

Elhuyar Zientzia

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Ed. ©nobeastsofierce/350RF

El grafeno no ha desengañado. Los físicos teóricos anunciaron que serviría para hacer transistores flexibles y potentes, y así ha sido. Los físicos de la Universidad de Texas, que han presentado el transistor de grafeno más sofisticado hasta el momento, han batido los récords: maneja una densidad de corriente mayor que cualquier otro transistor, incluso la mayor diferencia de potencial, provocando la máxima amplificación de señal medida.

No es el primer transistor de este tipo. Los primeros transistores flexibles de grafeno se realizaron hace un año en la Universidad de Southampton. Tuvieron que superar un problema, aunque sobre el grafeno la corriente se mueve 2.000 veces más rápido que en el silicio, ya que la estructura electrónica de una única lámina de grafeno no permite apagar y encender esta corriente. El equipo superó el problema con una estructura de dos láminas de grafeno, haciendo un transistor que se enciende/apaga más rápido que nunca. Esto supondría una velocidad en los dispositivos electrónicos.

El equipo de la Universidad de Texas ha dado un paso más. Las formas de los electrodos complejos (puertas multi-dedos) han sido creadas con un material dieléctrico y han ideado la forma de crear y fijar dos láminas de grafeno sobre ellas. Toda la estructura está integrada en una base de plástico, de forma que el transistor resultante, además de estar protegido, tiene unas características eléctricas admirables.

Los científicos afirman que gracias a la protección no hay peligro aunque el transistor caiga en un líquido. Esto no es la característica más importante del transistor, pero es posible que los dispositivos fabricados con esta tecnología sean resistentes a los líquidos.

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