Aconsegueixen el primer semiconductor funcional de grafè
Investigadors de l'Institut de Tecnologia de Geòrgia han creat el primer semiconductor funcional de grafè i han publicat el seu treball en la revista Nature. Segons ell, el progrés obre la porta a una nova manera de fer electrònica.
Segons han explicat, els investigadors han aconseguit superar el principal obstacle del grafè. De fet, el grafè no posseeix la característica coneguda com a tram de banda, per la qual els semiconductors s'encenen i apaguen. No obstant això, el semiconductor de grafè que han aconseguit ara té una mobilitat 10 vegades major que el de silici, a més d'altres propietats beneficioses que el silici no posseeix.
En realitat, és el resultat d'un treball iniciat fa temps. El grup va demostrar en 2001 que el grafè permetia l'electrònica. Més endavant va crear el grafè epitaxial, l'única capa que creix en una cara cristal·lina del carbur de silici. Unit químicament al fil, va començar a mostrar característiques semiconductores. Seguint aquest camí han aconseguit el material que han presentat.
Segons els investigadors, el grafè epitaxial podria canviar de paradigma en l'àmbit de l'electrònica i permetre tecnologies completament noves, aprofitant les seves poques característiques, com la computació quàntica.
Zu idazle
Zientzia aldizkaria
